“工艺实现”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7204885个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]实现STI的工艺方法-CN200510111179.9无效
发明人：章宇翔;岩垂史 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现STI的工艺方法，采用现有的STI工艺，至少包括以下步骤，浅沟道刻蚀、高密度等离子体膜淀积、CMP研磨；其中，在高密度等离子体膜淀积之后，追加成长一层平坦化的膜层，然后再进行热处理，
实现 sti 工艺方法

[发明专利]实现浅沟道隔离的工艺方法-CN201310085158.9有效
发明人：白英英;张守龙;张冬芳;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现浅沟道隔离的工艺方法，包括：在半导体衬底上覆盖第一氧化层，并形成第一浅沟道隔离凹槽，沉积第一隔离层填充所述第一浅沟道隔离凹槽，对第一隔离层实施平坦化并且不露出第一氧化层，湿法刻蚀去除剩余的第一隔离层与第一氧化层通过两次隔离材料的填充降低了凹槽深宽比，在相同的工艺条件下不需要引进新材料就可以提高浅沟道隔离凹槽的填充能力，同时采用的湿法刻蚀去除第一隔离层保证平坦度的同时避免了对半导体衬底可能的损伤。
实现沟道隔离工艺方法

[发明专利]实现浅沟槽隔离的工艺方法-CN201310062525.3有效
发明人：白英英;张守龙;张冬芳;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现浅沟槽隔离的工艺方法，包括：提供硅衬底；对所述硅衬底进行曝光和刻蚀处理，形成第一浅沟槽隔离凹槽；在第一浅沟槽隔离凹槽以外的硅衬底上生长第一SiN层；往所述第一浅沟槽隔离凹槽中填充隔离材料；湿法工艺去除所述第一SiN层；在上述器件表面生长氧化层；在所述氧化层上生长第二SiN层；在上述器件上形成第二浅沟槽隔离凹槽，所述第二浅沟槽隔离凹槽与所述第一浅沟槽隔离凹槽相互对准；往所述第二浅沟槽隔离凹槽中填充隔离材料本发明在相同工艺条件下，不需要引进新材料就可以提高浅沟槽隔离的填充能力，保证隔离材料的隔离效果。同时提高CMP的平坦化能力。
实现沟槽隔离工艺方法

[发明专利]厚绝缘膜的工艺实现方法-CN201110049404.6有效
发明人：王海军;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚绝缘膜的工艺实现方法，包括步骤：(1)在需要长绝缘介质膜的地方，先刻蚀槽；(2)在槽内，根据不同的槽宽，进行炉管氧化；(3)氧化后，成长填孔性较好的绝缘膜；(4)化学机械研磨，把表面的凸起磨平
绝缘工艺实现方法

[发明专利]实现更小线宽的光刻工艺-CN201710190157.9有效
发明人：张煜;郑海昌;朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现更小线宽的光刻工艺，包括：提供衬底，并在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层；在氮化硅层表面涂覆光刻胶；利用第一光刻机对所述氧化硅层表面进行曝光并形成曝光图形；刻蚀所述曝光图形，并去除光刻胶
实现更小线宽光刻工艺

[发明专利]高压MOS器件及其工艺实现方法-CN200510028404.2有效
发明人：陈晓波;伍宏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-08-03 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压MOS器件及其工艺实现方法，在原有器件的源漏两端靠近沟道的位置加入埋入式氧化硅隔离层，并通过化学机械平面化(CMP)工艺形成拥有埋入式氧化硅隔离层的硅基板。
高压 mos 器件及其工艺实现方法

[发明专利]实现装饰效果的设备及工艺-CN201310047402.2无效
发明人：邹桂清;牛彦明 -专利权人：东莞宇龙通信科技有限公司;宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： B44C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现装饰效果的设备和工艺。所述实现装饰效果的设备包括多个加工工位，每个加工工位包括：丝线；固定装置，用于固定所述丝线；牵引装置，与所述固定装置相连，用于牵引所述丝线；加热装置，用于对所述牵引装置牵引的丝线进行加热，以使所述加热后的丝线被目标物体吸附上述实现装饰效果的设备和工艺，通过每个加工工位上的加热装置将丝线加热后成细微颗粒或成熔融状态被目标物体吸附形成图案，通过多个加工工位上不同单色或多色的丝线加热后成细微颗粒或熔融状态被吸附，从而形成多色图案，实现了装饰效果，该激光加工工艺流程短、效率高，且能在任何形状表面形成多色图案。
实现装饰效果设备工艺

[发明专利]实现浅沟道隔离的工艺方法-CN200510030755.7无效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现浅沟道隔离的工艺方法，在现有的常规工艺方法中，在氮化硅窗口内形成氧化硅内侧墙，进行STI的硅的干法刻蚀形成浅槽后，再用湿法腐蚀去掉氧化硅内侧墙，在进行氧化硅填充时，由于氮化硅窗口的口径比STI的浅槽口径大，在STI工艺模块完成后，STI的上边角被氧化硅所覆盖并保护，使得在后面的腐蚀工艺中氧化硅免于从STI边角向内部刻蚀而形成凹坑。
实现沟道隔离工艺方法

[实用新型]采用Bipolar低压工艺实现的器件-CN201220184951.5有效
发明人：李小锋;韩健;张佼佼;王铎 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种采用Bipolar低压工艺实现的器件，通过在耐高压器件区域中形成轻掺杂区，轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度，避免了器件在高压工作中大量电荷聚集于上隔离区顶角位置
采用 bipolar 低压工艺实现器件

[发明专利]石板材浸渍工艺以及实现该工艺的装置-CN201480022876.4在审
发明人： J-I·林德伯格 -专利权人：纳特斯通股份公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过浸渍液(2)对石板材、混凝土或其它类似材料的板材(1)进行浸渍的工艺。此外，本发明还涉及用来实现所述工艺的装置(6)。
石板材浸渍工艺以及实现装置

[发明专利]工艺装置顺控实现方法和系统-CN201711471563.9有效
发明人：姚敏;洪翘;武东升;王治泉;张劲松;王玉芹;陈振宇;王建军;庄稼;李桂兰;朱军宁;杨晓东;梁银蝉 -专利权人：神华集团有限责任公司;神华宁夏煤业集团有限责任公司;浙江中控技术股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G05B19/05 文献下载
摘要：本发明提出一种工艺装置顺控实现方法和系统，方法包括：根据工艺装置的层次对顺控逻辑进行分层，分层从下向上依次为：设备功能块层、工艺单元层、单个装置层、多装置层和车间管理接口层；顺控逻辑的每一层实现本层对应工艺装置中实体设备的动作本发明解决了现有技术中顺控功能图(SFC)控制方案可复制性差和因果关系对应表(CE)难以实现复杂工艺步骤的技术问题，本发明提供的方式使编程工作量小，使相同设备能够复制顺控逻辑从而减少重复开发，实现了多个设备之间的协同控制
工艺装置实现方法系统

[发明专利]用于实现原子层沉积工艺的设备-CN201210119458.X无效
发明人：李春雷;克雷格·伯考;盛金龙;赵星梅;常青 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现原子层沉积工艺的设备，涉及原子层沉积技术领域，所述设备包括：反应模块，所述反应模块进一步包括：反应腔室、加热单元、预热腔室、预热单元、前驱物进料单元、抽气单元及控制单元；预热单元
用于实现原子沉积工艺设备

[发明专利]工艺控制系统及其实现方法-CN201110035475.0无效
发明人：陈瑞龙;何家栋;蔡柏沣;赵蕙昀;牟忠一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺控制系统及其实现方法，该系统包括：一数据库，用以存储多个原始晶片制造数据；一数据探测模块，用以处理原始晶片制造数据，并根据一知识基础式工艺、一统计基础式工艺及一效应基础式流程中的至少之一特征追踪模块与数据探测模块有关，并包括一自我学习模型，自我学习模型的灵敏度可动态地调整以符合即时制造环境，特征追踪模块从数据探测模块接收最佳数据以及接收预测数据及控制数据；预测数据及控制数据用以控制晶片制造设备的后续工艺
工艺控制系统及其实现方法

[实用新型]改进UCT工艺实现短程硝化的装置-CN200620119107.9无效
发明人：王淑莹;崔有为;彭永臻 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2006-08-15 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： C02F3/30 文献下载
摘要：改进UCT工艺实现短程硝化的装置属于污水处理领域。针对原有的MUCT工艺耗能较大、反应速度不高等缺点，将好氧反应器分成两级，两个好氧反应器之间设有脱氧反应器。每个好氧反应器设有独立的气体流量控制器。在第一好氧池内控制低的溶解氧实现短程硝化，将氨氮氧化成亚硝酸盐，在第二好氧池内实施高的溶解氧，保证剩余的亚硝酸盐被氧化成为硝酸盐。该装置实现了以亚硝酸盐作为电子受体的反硝化除磷，具有稳定的出水水质和较低能耗。
改进 uct 工艺实现短程硝化装置

[实用新型]改进MUCT工艺实现短程硝化的装置-CN200620119109.8无效
发明人：彭永臻;崔有为;叶柳 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2006-08-15 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C02F3/30 文献下载
摘要：改进MUCT工艺实现短程硝化的装置属于污水处理领域。针对原有的MUCT工艺耗能较大、反应速度不高等缺点，将好氧反应器分成两级，两个好氧反应器之间设有脱氧反应器。每个好氧反应器设有独立的气体流量控制器。在第一好氧池内控制低的溶解氧实现短程硝化，将氨氮氧化成亚硝酸盐，在第二好氧池内实施高的溶解氧，保证剩余的亚硝酸盐被氧化成为硝酸盐。该装置实现了以亚硝酸盐作为电子受体的反硝化除磷，具有稳定的出水水质和较低的能耗。
改进 muct 工艺实现短程硝化装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top